大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从(sand可数吗还是不可数，thousand可数吗cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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